Giới thiệu IGBT FGL40N120
IGBT FGL40N120 Sử dụng công nghệ NPT, dòng IGBT của Fairchild cung cấp tổn hao dẫn và chuyển mạch thấp. Dòng AND cung cấp giải pháp cho các ứng dụng như sưởi ấm cảm ứng (IH), điều khiển động cơ, bộ biến tần đa năng và bộ nguồn liên tục (UPS).
Đặc điểm chính của FGL40N120AND:
- Điện áp tối đa (Vce): 1200V
- Dòng điện tối đa (Ic): 40A
- Điện áp cổng (Vge): ±20V
- Suy hao chuyển mạch thấp: IGBT này được thiết kế để giảm thiểu tổn thất trong quá trình chuyển mạch, cải thiện hiệu suất năng lượng tổng thể.
- Tích hợp diode chống ngược: Diode này giúp bảo vệ IGBT khỏi các điện áp ngược có thể gây hư hỏng thiết bị.
Các thông số kỹ thuật chi tiết:
- Vce (Collector-Emitter Voltage): 1200V
- Ic (Collector Current): 40A
- Vge (Gate-Emitter Voltage): ±20V
- Tfi (Turn-off Time): Thời gian tắt rất ngắn, giúp cải thiện hiệu suất chuyển mạch.
- Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
- Nhiệt độ nối (Junction Temperature): Lên đến 150°C
Ưu điểm của IGBT FGL40N120AND:
- Hiệu suất chuyển mạch cao: IGBT kết hợp các ưu điểm của MOSFET (chuyển mạch nhanh) và BJT (khả năng dẫn điện tốt), giúp đạt được hiệu suất cao trong các ứng dụng công suất.
- Điện áp chịu đựng cao: Với khả năng chịu đựng điện áp lên đến 1200V, FGL40N120AND phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu công suất lớn.
- Thiết kế tích hợp: Tích hợp diode chống ngược giúp bảo vệ thiết bị và giảm thiểu yêu cầu về linh kiện ngoại vi.
Chức năng của IGBT FGL40N120AND:
IGBT FGL40N120AND là một linh kiện bán dẫn được sử dụng chủ yếu để chuyển đổi và điều khiển điện năng trong các ứng dụng công suất cao. Chức năng chính của nó là hoạt động như một công tắc điện tử, điều khiển dòng điện lớn giữa các đầu cực khi có tín hiệu điều khiển ở cổng (gate). Điều này làm cho nó trở thành một thành phần quan trọng trong các hệ thống như biến tần, điều khiển động cơ, và bộ nguồn công suất cao.
Nguyên lý hoạt động của IGBT FGL40N120AND:
IGBT kết hợp các đặc điểm của MOSFET và BJT, mang lại khả năng chuyển mạch nhanh và khả năng dẫn dòng điện lớn.
- Cấu trúc:
- Cổng (Gate): Cổng điều khiển là nơi áp dụng tín hiệu điều khiển (thường là điện áp) để bật hoặc tắt IGBT.
- Cực thu (Collector): Nơi dòng điện chính chạy qua khi IGBT ở trạng thái bật.
- Cực phát (Emitter): Là đầu ra của dòng điện khi IGBT ở trạng thái bật.
- Diode chống ngược: Được tích hợp để bảo vệ IGBT khỏi điện áp ngược có thể làm hỏng thiết bị.
- Trạng thái tắt (OFF):
- Khi không có điện áp ở cổng (hoặc điện áp thấp hơn ngưỡng), IGBT ở trạng thái tắt. Lúc này, rất ít dòng điện (dòng rò) chạy qua từ Collector đến Emitter, và thiết bị ngăn dòng điện chính chạy qua.
- Trạng thái bật (ON):
- Khi một điện áp dương được áp dụng ở cổng (điện áp đủ lớn để vượt qua ngưỡng Vge), IGBT sẽ bật. Lúc này, một kênh dẫn sẽ được tạo ra, cho phép dòng điện chạy qua từ Collector đến Emitter.
- Dòng điện chạy qua IGBT được điều khiển bởi điện áp ở cổng, giúp chuyển mạch dòng điện lớn với tổn thất năng lượng thấp.
- Chuyển mạch:
- IGBT có thể chuyển từ trạng thái bật sang tắt và ngược lại rất nhanh chóng. Điều này là do sự kết hợp giữa khả năng điều khiển bằng điện áp như MOSFET và khả năng dẫn dòng lớn của BJT.
- Trong quá trình chuyển mạch, có thể xảy ra tổn thất chuyển mạch (Switching Losses), nhưng IGBT được thiết kế để giảm thiểu các tổn thất này, tăng cường hiệu suất năng lượng tổng thể.
Ứng dụng thực tiễn:
IGBT như FGL40N120AND thường được sử dụng trong:
- Biến tần (Inverters): Để biến đổi dòng điện một chiều (DC) thành dòng xoay chiều (AC) và điều chỉnh tần số và biên độ của dòng điện.
- Điều khiển động cơ: Để điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ điện, đặc biệt là trong các ứng dụng yêu cầu điều khiển chính xác.
- Hệ thống nguồn công suất cao: Như các bộ nguồn xung (SMPS) trong các thiết bị công nghiệp, nơi cần chuyển đổi và điều khiển công suất lớn với hiệu suất cao.
IGBT FGL40N120AND, nhờ vào sự kết hợp các tính năng ưu việt, đóng vai trò quan trọng trong việc tối ưu hóa hiệu suất và đảm bảo sự hoạt động ổn định của các hệ thống công suất cao.
Sơ đồ cấu tạo
Kích thước
Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.