关于PE4259等各类射频开关选型对比分析

最新推荐文章于 2023-09-07 12:39:21 发布

Chery1140

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文章标签：物联网射频工程

本文链接： https://blog.csdn.net/Cheryl2020sale/article/details/125602880

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本文分析了CKRF2179MM26、AS179-92LF、UPG2179TB和PE4259等射频开关的性能特点，探讨了如何选择合适的射频开关。其中，ATR5179因性价比高和广泛使用受到推荐。随着封装尺寸减小和模组化趋势，射频开关的性能和价值将进一步提升。

摘要由CSDN通过智能技术生成

射频器件是无线通信设备的基础性零部件，在无线通信中扮演着两个重要的角色：首先是在发射信号的过程中，能将二进制信号转换成高频率的无线电磁波信号；其次是在接收信号的过程中，能将收到的电磁波信号转换成二进制数字信号。射频前端主要包括射频开关、滤波器、双工器、PA（功率放大器）、LNA（低噪声放大器）等器件。

而近年来，全球射频开关市场保持快速增长态势。射频开关，又称为微波开关，它是构成射频前端的一种芯片，主要作用在于通过控制逻辑，实现对不同方向（接收或发射）、不同频率的信号进行切换，以达到共用天线、节省终端产品成本的目的。按照刀数和掷数，射频开关可以分为单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)、单刀多掷(SPNT)、多到多掷(NPNT)。接下来我们就来讲一讲如何选择合适的射频开关。

CKRF2179MM26是pHEMT GaAs SPDT(单刀双掷)开关。这设备运行频率为0.05 ~ 3.0GHz，具有低插入损耗和高隔离性。

AS179-92LF是一种pHEMT GaAs FET单刀双掷开关。该装置具有插入损耗小、正极好等特点极低直流功耗的电压操作，低成本封装sc70-6(2.00 x 1.25 mm)。

UPG2179TB是日本RENESAS生产的砷化镓MMIC L s波段领域开关(单刀双掷)。该装置的工作电压为2.5 ~ 5.3 V。这个装置的工作范围从0.05到3.0 GHz，低插入损耗，高隔离。但是目前已经停产，新产品不作主推。

PE4259 UltraCMOS RF开关的设计涵盖10MHz的广泛应用范围通过3000 MHz。这个反射开关板载CMOS低电压控制逻辑cmos兼容的控制接口，并可以使用单引脚或互补控制控制输入。使用标称+3V电源电压，一个典型的输入1dB的压缩点+33.5 dBm可以实现。PE4259是在P