计算机组成原理——实验2：TEC-2机存储器部件实验

实验二：TEC-2机存储器部件实验

一．实验目的

        学习存储器系统设计知识，了解主存工作过程中各种信号的时序关系。

二．实验原理

        TEC-2机的主存储器由4K(字长16位)的ROM与2K的RAM组成，其地址分配与用法见下图。

 (4KROM用2片LS2732实现;2KRAM用2片LS6116实现)

TEC-2机主存的地址选择来自地址总线AB15-0，地址总线的信号是由地址寄存器AR的输出提供的，而AR只接收运算器的输出。

主存储器的入/出数据与外部数据总线DB15-0接通。外部总线又通过双向三态门电路(LS245)与CPU内部总线IB15-0连接。在/MIO与/WE两位微码的控制下，使内外部总线处于逻辑上断开、内向外传送或外向内传送数据的3种状态之一。

内存芯片的片选信号由一片3-8译码器芯片LS138给出(DC3)，通过地址的第11、12、13三位给出8个译码信号，选择最大16KW的地址。AB10-0用于选择每片2K内的每一个内存单元。

请注意，形成内存芯片片选信号还用到了/MERQ信号，即仅在有内存读写请求时才能去选内存，以与外设入/出(用/1OEQ表示)请求相区别。外设接口与内存合用同的外部数据总线和地址总线。

主存ROM区的读是用相应的ROM片选信号完成的，而RAM区的读写除了用到相应的片选信号，还用读/写控制信号区分读还是写操作，/MMW为低是写，为高是读。DC3的8个译码信号中空着未用的/AMCS3-/MCS7可用于内存扩展实验中的片选信号。

三．实验内容

（一）手拨数据方式读写存储器。（p120）

完成内存数据手工拨入操作后，后用读出方式检查操作结果的正确性。

（二） 主存储器扩展实验

1. 实验原理电路图（确定存储器地址范围）

2. 单步命令实验

3. 连续程序实验

四. 实验器材

1. TEC-2机一台，电脑一台

2. TEC-2模拟软件一套

五. 实验分析

（一）手拨数据方式读写存储器

  1. 存储器写FS1—FS4=0100  STP置连续脉冲方式

  （1）拨好存储器的首地址为8000，按RESET

（2）拨入数据，按STEP CLK写入该数据，存储器地址加1

① 拨入8111，选择内部总线，根据LED显示该数据为8111H（此时还未写入数据）

选择地址总线，显示此时存储器地址为起初设置的首地址8000H

② 按下STEP CLK按钮，写入该数据

选择内部总线，显示拨入的数据，根据LED显示该数据为8111H

选择地址总线，显示此时存储器地址加1，变为8001

（3）重复步骤（2）操作

第二次拨入数据，选择内部总线，根据LED显示写入的数据为2000H

第二次写入数据，选择地址总线，此时存储器地址为8002

第三次拨入数据，选择内部总线，根据LED显示写入的数据为0001H

第三次写入数据，选择地址总线，此时存储器地址为8003

（4）数据要写入不连续的存储器单元时，转步骤（1）重新开始。

2. 存储器读 FS1—FS4=0110  STP置连续脉冲方式

  （1）拨好存储器的首地址为8000，按RESET

（2）用LED灯显示IB总线观察从存储器读出的数据；显示AB总线观察存储器的地址。

   点击STEP，选择AB总线，显示此时存储器的地址为8001

选择IB总线，显示从存储器中读出的数据为8111H

第二次点击STEP，选择AB总线，显示此时存储器的地址为8002

选择IB总线，显示从存储器中读出的数据为2000H 

第三次点击STEP，选择AB总线，显示此时存储器的地址为8003

选择IB总线，显示从存储器中读出的数据为0001H

（3）每按一次STEP CLK，顺序读出存储器单元的内容，如需读取不连续的从1重新开始。

总结：第一部分通过设置FS1-FS4=0100并写入数据实现存储器的写操作，每写入一个数据，存储器地址加1；第二部分通过设置FS1-FS4=0110并顺序读出存储器单元的内容。两部分的结果一一对应，证明了实验的正确性。

（二）主存储器扩展实验

1. 实验原理电路图（确定存储器地址范围）

实验使用存储器6116芯片。其中AB0~AB10这11个引脚接入TEC-2主机总线，提供了11位地址，剩下5位地址AB11~AB15接在138译码器上。其中AB11~AB13接在译码器138的A、B、C地址线上，AB14接在G2B非端口，AB15接在G1端口。译码器1~6端口都接线正常，若CBA=000，则译码器从Y0出发访问所连接的两片6116存储器芯片，两片各8位，由Y0统一控制，构成了16位；同理CBA=001，则译码器从Y1出发访问所连接的图中上面两块6116存储器芯片。若AB15与AB14接反，则为非正常接线由10转为01，即AB15~AB12从原来的1000转为0100，相应的地址也从8000H转为4000H。而存储于哪块芯片则由AB11来控制。

整体上本身地址线是接入TEC-2主机，由用户来控制选择存储地址的（默认从0000H开始），且根据AB11的信号来确定最终存储的芯片，通过改变AB15~AB12来改变首地址。

2. 单步命令实验

（1）从8000H开始的内存单元实验

（2）从8800H开始的内存单元实验

3. 连续程序实验

（1）从8000H开始的内存单元实验

（2）从8800H开始的内存单元实验

六. 思考题

电源关掉再开启后，主存储器RAM中是数据有否变化？

答：有变化。RAM是读写存储器，可对其中任意存储单元进行读或写的操作，计算机关闭电源后其内的信息将不再保存，再次开机需要重新写入，通常用来存放操作系统，各种正在运行的软件、输入和输出数据、中间结果、外存交换数据等。

其底层保存数据的过程：一个RAM的存储单元存储的是0还是1，取决于电容是否有电荷，有电荷为1，无电荷为0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，会造成一定的数据丢失。因此，需要定期的刷新操作来对电容进行检查。若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，以此来保持数据的连续性。但外界一旦断电，就无法继续保持定期的刷新操作，从而使得电容电荷反转，使得数据无法保存。