ASEMI高压MOS管10N65参数，10N65规格，10N65封装

最新推荐文章于 2024-10-20 23:47:24 发布
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10N65是一款高压MOS管，具有650V的漏极-源极电压，10A的漏极电流，以及0.9Ω的最大RDS(ON)。其TO-220封装规格适应多种应用。该管子特点包括低固有电容，优秀的开关性能，宽广的安全操作区域，以及经过100%雪崩测试的可靠性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

编辑-Z

ASEMI高压MOS管10N65参数：

型号：10N65

漏极-源极电压（VDS）：650V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：10A

功耗（PD）：65W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.9Ω

二极管正向电压（VSD）：1.4V

输入电容（Ciss）：1500pF

二极管反向恢复时间（trr）：320nS

 

10N65封装规格：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

 

10N65特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=35nC（典型值）。

BVDSS=650伏，ID=10A

R DS（ON）:0.9Ω（最大值）@V G=10V

100%雪崩测试

 

qyx3868
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