【电源专题】LDO基础——电流限制

这是LM317芯片的核心，这个电路单元称为Bandgap Reference带隙基准源。属于模拟集成电路中的经典电路结构。常见的基本结构利用VBE的负温度系数，而VT是正温度系数，正负温度系数抵消就的得到稳定的基准参考电压了(三极管的方程VBE=VT*In(lC/IS))。

看LDO的过流可以构成负反馈来解决。 [1]闫良海,吴金,庞坚,姚建楠.LDO过流与温度保护电路的分析与设计[J].电子器件,2006(01):127-129+141.

文章目录前言一、压降1.什么是压降？2. 决定压降的因素是什么？PMOS LDONMOS LDO偏置 LDO其他因素二、使用步骤2.读入数据总结 前言 使用低压降稳压器 (LDO) 是在维持小的输出输入电压差的情 况下，把一个较高电压输入，转换为一个略低的稳定输出电 压的常见方法。在大多数情况下，LDO 都易于设计和使用。 然而，目前的主流应用通常包括多个模拟和数字系统，我们 将根据这些系统的本身特性以及工作条件来选择最适合这个 应用的.

1.拉电流：芯片正常工作下，且输出引脚为高电平，将输出引脚接负载，待稳定后，负载上的电流大小即为拉电流 2.灌电流：芯片正常工作下，且输出引脚为低电平，将输出引脚接电流源(能输出电流到芯片即可)，待稳定后，电流源的输出电流即为灌电流 3.短路电流：芯片正常工作下，且输出引脚为高电平，将高电平输出引脚拉低(即将高电平输出引脚接地)，在输出引脚引线拉低的中间串入一分流器(没有分流器，用万用表调到直流电流档也行)，待稳定后，分流器上的电流即为短路电流

LDO的负载电流或输入输出电压差降增加时 ，会迅速导致功耗的增加，在选择LDO的封装时必须考虑到这一因素，确保其可以承担这一功耗。它与输出端的电容值，电容的ESR，LDO控制环路的增益带宽以及负载电流变化的大小和速率有关。LDO的 PSRR数据是用来量化LDO对不同频率的输入电源纹波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪声和电压波动、保持输出电压稳定的能力。在一些对噪声敏感的电路中，如ADC，DAC，Camera sensor模拟电压等，必须选择LDO，而且是高PSRR的LDO，而不是DCDC。

线性稳压器基本上由输入IN、输出OUT、GND引脚所构成可变线性稳压器则在输出增加输出电压的反馈（feed back）引脚(通过分压电阻来进行调节输出电压的大小)线性稳压器内部电路如下图所示。基本上由误差放大器（误差检测用运算放大器）、基准电压源、输出晶体管所构成。输出晶体管可以用PMOSFET，也可使用NMOSFET、双极的PNP、NPN晶体管。需要注意的是反馈（feed back）环路。当输入或负载变动后，即输出电压开始波动，误差放大器会连续比较来自稳压器输出电压的反馈电压和基准电压，

顾名思义，负载短路。

LDO线性稳压IC FS7203 高输入电压：高达30V 输超低静态电流：0.8uA（Typ） 输出电压范围：1.5-12V 输出电压精度：±2% 输出电流：IOUT=150mA （ VIN=4.8V&VOUT=3.3V） 短路电流：18mA 低温度系数 采用低ESR的陶瓷电容输出稳定电源IC FS7203 辍学电压：100mV@iout＝100mA 工作电压范围：2V～60V 高精度：±2% Low Power消费：40uA（泰普） 待机电流：0.1UA（TPY）。 高纹波抑制：70dB@1kHz

LDO应用问题的分析 LDO规格：ME6209A36PG 精度2% LDO内部的原理： 原理中可以理解为放大器作为比较器使用，Voltage Reference将输出稳定的一个小信号电压参考值，与实际输出VOUT分压后的电压通过放大器进行对比。即当VOUT＞3.6V时，放大器输出负电压，VOUT＜3.6V时放大器输出正电压。Current Limit再根据放大器输出的电压极性以及大小来调节开关管的打开和关闭的占空比（PWM）或者打开和关闭的频率（PFM），而此时Current Limit调节此时将存在一

3V3恢复起来是因为，我只短路了一瞬间，电路板上面我在输入60V的位置用了50uF左右的电解电容，短路事件消除后，电解电容有电，就可以重新上电，但是MCU程序还在boot中，需要等待按键指令，然后才会发出keep power on的指令，打开上述框图示意的电源控制电路，让整个系统完整上电。设定保护电流是10A, INA280转化后的电压就是1V，Q3和Q4组成的是一个自锁电路，当10A的OCP点触发后，就可以动作，保证Q2是恒定的高电平，此时主功率MOS-M1就会自动关闭，即使短路消除，也是不会开启。

低压差稳压器(Low Drop-Out Regulator,LDO)是一种电压稳压器，属于电源管理类电路。LDO只能降压不能升压，后续可以证明。