vt_group report阅读——SVT，LVT，ULVT等简介

这里的Vt是MOS管阈值电压，当栅源电压（Vgs）逐渐增大到MOS管沟道形成反型层时，对应的电压值就是该MOS管的阈值电压。以N沟道增强型MOSFET为例，具体解释为：

Vg栅极（gate）电压为负时，P型半导体内的正电荷（空穴，多数载流子）在靠近栅极的表面很薄一层大量汇集，但这不是MOSFET工作状况，不作讨论。

Vg电压为正，但比较小，没有超过阈值电压。栅极的正电荷排斥衬底中的空穴，留下了带负电的掺杂离子，此时没有可自由移动的电荷，没有导电通道。

Vg超过阈值电压后，半导体表面累积了可移动的载流子电荷，形成反型层导电沟道（电子代替空穴成为多数载流子，所以称为反型）。

代工厂会提供多种阈值电压值的单元库。其中最普遍的分类为：HVT，SVT，LVT
HVT：High_Voltage Threshold
SVT(又称RVT）：Standard/Regular_Voltage Threshold
LVT：Low_Voltage Threshold

对于台积电5nm工艺库，有七种不同类型的晶体管
三种主要类型是uLVT（Ultra LVT），LVT和SVT，这三种类型均具有低泄漏（LL，Low_Leakage）变体，另有一种类型是eLVT（Extremely LVT），速度最快。

不同Vt间速度和延时，功耗的关系

由上图可见阈值电压Vt以指数关系影响着漏电功耗。
Vt越高，漏电功耗越低，但门延迟越长，速度越慢；
Vt越低，漏电功耗越高，但门延迟越短，速度越快。
（阈值电压越低，饱和电流越小，速度性能就越高，但是漏电流会增大，导致leakage power增加。）因此：

速度：HVT<SVT<LVT<ULVT
延迟：HVT>SVT>LVT>ULVT
功耗：HVT<SVT<LVT<ULVT

综合工具会把这几种cell库都吃进去，然后根据timing约束，由综合工具在满足timing约束的情况下自动选择使用什么cell，大部分情况下三种cell都会使用，在timing比较吃紧的path上会大量使用LVT cell，timing裕量比较大的地方使用HVT/SVT cell。

一般建议关键路径上用少量 LVT 加 SVT （HVT太慢），普通path上用 SVT 和 HVT，timing 特别松的 path 上多用 HVT（功耗低）。

参考：
理解MOSFET阈值电压
台积电披露5nm详细技术细节及进展