半导体栅极侧墙工艺的来龙去脉

在相对先进的半导体制程工艺中，在栅极两侧会有多层侧墙结构，对其产生过程及机理进行梳理总结如下：

基础知识：侧墙工艺利用干法蚀刻的各向异性特性，不需要Mask，Dep后进行干法蚀刻，台阶位置产生侧墙。

 侧墙工艺示意图

热载流子效应：漏极电压升高，耗尽区宽度增加，但耗尽区宽度不足以抵消电势差，载流子在强电场作用下形成高能载流子，成为热载流子，进入栅极/衬底形成电流/引发闩锁效应。

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＞800nm工艺：无热载流子效应影响，无侧墙工艺。

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推动力：器件尺寸继续减小热载流子效应严重，使器件失效。
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DDD工艺(双扩散漏)：源漏极掺杂不同质量的掺杂离子，进行退火工艺，因扩散速度的不同，在源漏极扩展区形成低浓度扩散区，即而形成轻掺杂缓变结，降低峰值电场强度。
缺点(动力)：①短沟道效应严重(阈值电压明显降低)；②