IMBG65R022M1H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IMBG65R022M1H是一款基于650V CoolSiC MOSFET技术的碳化硅半导体器件，专为在高温和恶劣环境中提供高效、可靠且易于使用的电源解决方案而设计。这款芯片采用了英飞凌超过20年研发的硅碳化技术，利用宽能隙SiC材料的优势，提供了独特的性能表现。 关键特性包括： 1. **优化的开关行为**：在高电流下表现出优异的开关性能，降低了开关损耗。 2. **内置快速体二极管**：具有低Qf（反向恢复电荷），在换流过程中更加稳定，提高系统效率。 3. **卓越的栅极氧化层可靠性**：保证了器件在长时间运行下的稳定性。 4. **高温工作能力**：最大结温Tj,max达到175°C，同时具备良好的热性能。 5. **温度依赖性降低**：较低的RDS(on)（导通电阻）和脉冲电流对温度的依赖，确保了在不同环境温度下的稳定性能。 6. **增强的雪崩能力**：增强了器件承受过压事件的能力，提高了系统的抗冲击性。 7. **兼容标准驱动器**：推荐驱动电压范围为0V-18V，方便使用。 8. ** kelvin源引脚**：可降低高达4倍的开关损耗，进一步提升效率。 这些特性带来的益处包括： 1. **高性能与高可靠性**：独特的组合使得该器件在严苛环境下仍能保持高性能表现。 2. **易于使用和集成**：简化了设计流程，降低了系统复杂性。 3. **适合连续硬换流拓扑**：适用于不间断电源、太阳能光伏逆变器等需要频繁换流的应用。 4. **更高的系统稳健性和可靠性**：降低了故障风险，增强了整体系统稳定性。 5. **效率提升**：通过减少损耗，提高整个系统的能源转换效率。 6. **减小系统体积，提高功率密度**：允许在更小的空间内实现更高的功率输出。 这款芯片适用于电信和服务器的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电基础设施、能源存储和电池形成以及类D音频放大器等多种应用。英飞凌已经按照JEDEC工业应用标准对产品进行了全面的资格认证，以确保其在各种环境下的可靠性能。 封装信息为PG-TO263-7-12，型号标记为65R022M1。详细参数如表1所示，包括VDS（击穿电压）、RDS(on)（典型和最大导通电阻）、QG（栅极电荷）、IDM（最大持续电流）以及Qoss（开关损耗）等关键指标。此外，还提供了相关链接以便查阅更多详细信息。