extrinsic grain boundary dislocation是什么意思？

位错又可称为差排，在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。位错理论认为，晶体实际滑移过程并不是滑移面两边的所有原子都同时做整体刚性滑动，而是通过在晶体存在的称为位错的线缺陷来进行，位错在较低应力作用下就开始移动，使滑移区逐渐扩大，直至整个滑移面上的原子都先后发生相对位移。

上期回顾： 金属表面涂层抗氧化的文章找什么期刊投稿比较好？

Q:

今天看文献，看到了这样一个概念，不知道什么意思，期待解答。
原文是：their results show that extrinsic grain boundary dislocations(EGBDs) adsorption are annihilated at high angle boundaries

A:

这句话的意思要根据文献中上下文去理解，没有原文，对这句话解释是有困难的。
我的理解，未必正确：大角晶界中存在大量的位错，这些位错是不可消除的。晶界外也存在位错，且可以运动，不同的位错到晶界附近，有的相互叠加，有的消除。EGBD应该是指这些晶界外的位错。这篇文章可能说的变形后的合金，热处理时新晶界形成的过程。

我对这句话的理解是：大角度晶界没有晶界外位错的吸附。

我觉得应该也是大角度晶界不吸附晶界外的位错。

上下文接上：alexandreanu et al. have investigated the effect of grain boundary character distribution on the high temmperature creep of Ni-16Cr-9Fe alloys at 360℃. Their results show that extrinsic grain boundary dislocations(EGBDs) adsorption are annihilated at high angle boundaries(HABs) at a rate that is on average three times that at coincident site lattice boundaries(CSLBs), implying that a grain boundary diffusion coefficient in CSLBs that is 12 times lower than that in HABs，

非本征晶界位错，也就是：不是构造晶界的位错。