CR6855升级为CR6889B后思睿达主推CR6889B变得很不一般

本篇文章将为您介绍思睿达CR6855升级为CR6889B后，到底有什么过人之处呢？让我们慢慢揭晓！

先来了解下思睿达主推CR6889B 芯片和CR6855芯片有什么特性吧！

CR6889B芯片特性

●低待机功耗（<75mW）；

●低启动 电流 (约3μA)；

●能效 ：DOE VI；

●SOT23-6封装的副边PWM反激功率开关；

● 内置软启动，减小 MOSFET的应力，斜坡补偿电路；

● 65kHz开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP自动恢复等保护功能；

CR6855芯片特性

● 低待机功耗（<100mW）；

●低启动电流 (约5μA)；

●能效 ：CoC V5_T2；

●SOT23-6L、DIP-8L封装的副边PWM反激功率开关；

● 内置软启动，减小MOSFET的应力，斜坡补偿电路；

● 65kHz开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OLP等保护功能；

一、升级芯片

CR6855升级CR6889B 需更改以下元件：

1.SENSE 电阻值0.375 欧调整为0.26 欧左右；（供参考）

二、电性对比如下

此 电源基本特性为一电池充电电源（18V2.15A）加上一路 DCDC12V1A 降压模块，综合考虑测试方式，由于电源输出肖特极端电压为23V（OCP 在3.6A 左右，所以此电源大概按照23V2.8A(64.4W)对比评估相关数据如下：

注：

1.以上效率为板端测试

2.测试仪器为：

示波器： 泰克MDO3014

功率计：WT210

负载机：IT8511A

万用表：FLUKE 15BEMI

测试仪：KH3939

三、关键波形对比如下

CR6855 264V 启动时 VDS 波形 肖特基波形

CR6855 264V 短路保护时 VDS 波形 肖特基波形

CR6889B 264V 启动时 VDS 波形 肖特基波形

CR6889B264V 短路保护时 VDS 波形 肖特基波形

从测试波形上可以了解到在整机开启和发生保护的时候 MOS 管以及次级肖特基上所受应力基本一 致，不过需要注意在 V AC264 极端条件下发生短路保护时肖特基上所受应力超过额定值。

老化温升数据对比如下：

各个输入电压下老化条件负载 2.8A，从 VAC90 时间 2 小时开始每半小时逐步电压提升一个级别，室 温 15℃；

结论：

1、CR6889B与CR6855 对比测试电性基本一致（效率略高 0.1~0.3%，功耗略小）（各数据仅供参考）

2、能效由欧盟CoC V5（五级能效标准）升级到美国DoE VI(六级能效标准)，CR6889B的能效标准变得更严格。

3、CR6889B 智能交互优于CR6855智能交互。

4、CR6889B的待机功耗（<75mW）范围比CR6855的待机功耗（<100mW）范围更小。

5、CR6889B的启动电流 (约3μA)小于CR6855的启动电流 (约5μA)；

所以综上所述，升级后的思睿达CR6889B更具有优势。

关于思睿达微 电子

多种方案，欢迎随时交流沟通。思睿达联系人：何工 18923426660，E-mail：manjie@thre eda.com，欢迎来电咨询，申请样品。感谢！