澎芯半导体推出性能领先的SiC MOS产品，将通过车规级认证

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近日，澎芯半导体宣布，经过6个月以上的产品开发流程和可靠性考核，新推出性能参数优异，可靠性高的1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品。

据介绍，这款SiC MOSFET产品的晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，已经通过工控级可靠性认证，车规认证AEC-Q101测试进行中，预计Q3将完成车规认证。

6寸SiC MOS晶圆（左图）SiC MOSFET封装成品（右图）

据介绍，澎芯半导体的SiC MOSFET门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。

本次新产品的推出，使得澎芯半导体1200V电压平台的产品更加完善，此平台目前已量产的型号包括以下：

● 1200V 80mΩ

● 1200V 60mΩ

● 1200V 40mΩ

● 1200V 32mΩ

另外，澎芯半导体新推出的1200V 40mΩ产品，参数分布一致性较高，平均良率达到85%以上，达到业内领先水平。

该器件各项参数性能指标表现非常优异，请参见下面典型参数曲线，详细规格书和相关应用技术支持，请详询澎芯半导体各经销处。

除了以上新产品的推出之外，澎芯半导体为了完善产品布局和提升顾客服务，即将推出以下三颗新产品：

澎芯半导体公司信息：

总部地址：浙江省诸暨市经济开发区展诚大道82号1号楼

研发中心：江苏省常州市武进高新区西湖路8号津通工业园5C栋

深圳分公司：深圳市南山区西丽街道中山园路1001号TCL科学园区F1栋D单元

邮箱地址：sales@pengxsemi.com

公司网址：www.pengxsemi.com

华南区销售联络方式：15889426117邹经理

华东区销售联络方式：15921193488于经理

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