澎芯半导体加大研发投入!持续提升SiC MOS产品的可靠性测试能力发表时间:2023-07-06 13:10 澎芯半导体加大投入!持续提升SiC MOS产品的可靠性测试能力 来源:芯师爷 澎芯半导体致力于碳化硅(SiC)器件的参数特性和可靠性研究,不断加大公司研发端的器件测试中心和可靠性试验中心的设备投入,以及研发队伍的建设,既为公司产品在各个领域的系统方案中的可靠性保驾护航,又为公司产品在同行业中的参数性能领先性精准助力,同时能提供对顾客响应及时的技术支持服务与提升顾客满意度。 SiC MOS器件分选平台 器件可靠性平台 器件参数测试平台 基于公司研发能力的不断提升和研发设备的持续投入,澎芯半导体推出Vgs_on为+15V/+18V兼容的1200V 32mΩ和1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品,封装形式包括四种:TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。 6吋 SiC MOS 晶圆 SiC MOSFET 封装成品 新推出的SiCMOSFET产品,参数分布一致性较高,平均良率达到85%以上,达到业内领先水平。 本次新产品的推出,使得澎芯半导体1200V电压平台的产品更加完善,此平台目前已量产的型号包括以下: 1200V 40mΩ 1200V 32mΩ 器件各项参数性能指标表现非常优异,请参见下面典型参数曲线,详细规格书和相关应用技术支持,请详询澎芯半导体各经销处。 上一篇 澎芯半导体诚邀您参加上海慕尼黑电子展-展位号:7.2F625
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