可控硅模块的基本参数介绍

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2021-03-29

dICOM/dt(转换电流量变化率)，导致高dICOM/dt值的原因是:高负载电流量、高电网频率（比如正弦波电流量）或者非正弦波负载电流量,这两者导致的转换电流量变化率超过最大的规定值，使双向可控硅甚至于不能支撑50Hz波形由零上升时很小的dV/dt，添加一几mH的电感和负载串连，可以限制dICOM/dt。

Hi-Com双向可控硅模块可以彻底解决高dv/dt及di/dt造成的问题，它和传统的双向可控硅模块的内部构造有区别。区别其一是内部的2个“闸流管”分隔得更佳，减轻了互相的影响。这带来以下益处：

①高dVCOM/dt。

能操控电抗性负载，在众多场所下无需缓冲线路，保障无故障转换。这减轻了元器件数量、底板大小和成本费，还免去了缓冲线路的功率耗散。

②高dICOM/dt。

转换高频电流或非正弦波电流的特性大大改进，而无需在负载上串连电感器，以限制dICOM/dt。

③高dvD/dt（断开模式下电压变化率）。

双向可控硅模块在高温下更加灵敏。高温下，处在终止模式时，很容易因高dV/dt下的假触发而导通。Hi-Com双向可控硅模块减少了这类倾向。进而可以用在高温电器，操控电阻性负载，比如厨房和取暖电器，而传统的双向可控硅模块则不能用。

在可控硅模块设计中，采用适合的基本参数及其与之相对应的软硬件设计，用可控硅模块组成的变流设备有着节约能源、成本低廉等优点，现如今在工业生产中获得快速的发展壮大。

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