1N60L-TN3-R场效应管,1N60L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

1N60L-TN3-R场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：600V；电流(ID)：1.2A；封装(Pageke)：TO-252；

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漏源电压 V_DSS 600 V

栅源电压 V_GSS ±30 V

雪崩电流(注 2) I_AR 1.2 A

连续漏极电流 I_D 1.2 A

脉冲漏极电流(注 2) I_DM 4.8 A

雪崩能量单脉冲(注 3) E_AS 50 mJ

雪崩能量重复(注 2) E_AR 4.0 mJ

峰值二极管恢复 dv/dt(注 4) dv/dt 4.5 V/ns

功耗 SOT-223 P_D 8 W

功耗 TO-251/TO-252/TO-252D/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4 P_D 28 W

功耗 TO-220 P_D 40 W

功耗 TO-220F P_D 21 W

功耗 TO-220F2 P_D 23 W

功耗 TO-92(T_A=25°С) P_D 1 W

功耗 TO-126 P_D 12.5 W

结温 T_J +150 °С

工作温度 T_OPR -55 ~ +150 °С

储存温度 T_STG -55 ~ +150 °С

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级：脉冲宽度受最大结温限制

3. L=60mH，I_AS=1A，V_DD=50V，R_G=25Ω，启动 T_J=25°C

4. I_SD≤1.2A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

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