SI2301(MOS)场效应管参数 封装引脚图报价中文资料pdf 生产厂家

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型号：SI2301；极性：P沟道；ID/VDSS：-2.4A/-20V；封装：SOT-23

P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

产品参数概要

· -20V, -2.8A

· RDS(ON)=100m? @VGS=-4.5V.

· RDS(ON)=150m? @VGS=-2.5V.

· High dense cell design for extremely low RDS(ON).

· Rugged and reliable.

· SOT-23 package

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：-20v

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±8v

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 25℃）：-2.8A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 70℃）：-10A

· Power Dissipation（功率损耗Pd）：1.25W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~150℃

壹芯微SI2301数据手册下还有热特性，静态特性与电电气参数等，建议自行阅读观看。

SI2301,SOT23数据手册(查看下载)

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